GB-T 6219-1998 半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范

ICS 31. 080. 30 L 42 GP 中华人民共和国国家标准 GB/T 6219—1998 idt IEC 747-8-1:1987 QC 750112 半导体器件分立器件第8部分：场效应晶体管第一篇1GHz、5 W 以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 Semiconductor devicesDiscrete devices Part 8:Field-effect transistors Section one-Blank detail specification for single-gate field-effect transistors up to 5 W and 1 GHz 1998-11-17发布 1999-06-01实施国家质量技术监督局发布 GB/T 6219—1998 前言本规范是等同采用国际标准IEC747-8-1：1987《半导体器件分立器件1GHz、5W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范》第一版对GB/T6219一1986进行修订的。本规范与前版的主要差别是增加了C1分组尺寸和C3分组转矩的技术要求。本规范的附录A是标准的附录。本规范由中华人民共和国电子工业部提出。本规范由全国半导体器件标准化技术委员会归口。本规范由电子工业部标准化研究所负责起草。本规范主要起草人：王长福、顾振球、邓康、黄世杰。

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